Производитель Номер продукта:
FQD12N20TF
Product Overview
Производитель:
onsemi
Номер детали:
FQD12N20TF-DG
Описание:
MOSFET N-CH 200V 9A DPAK
Подробное описание:
N-Channel 200 V 9A (Tc) 2.5W (Ta), 55W (Tc) Surface Mount TO-252AA
Инвентаризация:
12838671
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
FQD12N20TF Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
onsemi
Упаковка
-
Серия
QFET®
Статус продукта
Obsolete
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
200 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
9A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
280mOhm @ 4.5A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
5V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
23 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±30V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
910 pF @ 25 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
2.5W (Ta), 55W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
TO-252AA
Упаковка / Чехол
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Базовый номер продукта
FQD1
Дополнительная информация
Стандартный пакет
2,000
Классификация окружающей среды и экспорта
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
FDMC86102L
MOSFET N-CH 100V 7A/18A 8MLP
FDS6676AS
MOSFET N-CH 30V 14.5A 8SOIC
FQPF19N20C
MOSFET N-CH 200V 19A TO220F
