FQD17P06TM
Производитель Номер продукта:

FQD17P06TM

Product Overview

Производитель:

onsemi

Номер детали:

FQD17P06TM-DG

Описание:

MOSFET P-CH 60V 12A DPAK
Подробное описание:
P-Channel 60 V 12A (Tc) 2.5W (Ta), 44W (Tc) Surface Mount TO-252AA

Инвентаризация:

26225 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12849003
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
num_del num_add
*
*
*
*
kIs5
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ

FQD17P06TM Технические характеристики

Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
onsemi
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
QFET®
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
P-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
60 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
12A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
135mOhm @ 6A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
27 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±25V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
900 pF @ 25 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
2.5W (Ta), 44W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
TO-252AA
Упаковка / Чехол
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Базовый номер продукта
FQD17P06

Технический паспорт и документы

Технические характеристики

Дополнительная информация

Стандартный пакет
2,500
Другие названия
FQD17P06TMCT
FQD17P06TMDKR
FQD17P06TMTR
FQD17P06TM-DG

Классификация окружающей среды и экспорта

Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
onsemi

FDN352AP

MOSFET P-CH 30V 1.3A SUPERSOT3

onsemi

FQP58N08

MOSFET N-CH 80V 57.5A TO220-3

onsemi

FDT434P

MOSFET P-CH 20V 6A SOT223-4

alpha-and-omega-semiconductor

AO4404B

MOSFET N-CH 30V 8.5A 8SOIC