FQD2N80TM
Производитель Номер продукта:

FQD2N80TM

Product Overview

Производитель:

onsemi

Номер детали:

FQD2N80TM-DG

Описание:

MOSFET N-CH 800V 1.8A DPAK
Подробное описание:
N-Channel 800 V 1.8A (Tc) 2.5W (Ta), 50W (Tc) Surface Mount TO-252AA

Инвентаризация:

12839819
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
num_del num_add
*
*
*
*
Jb91
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ

FQD2N80TM Технические характеристики

Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
onsemi
Упаковка
-
Серия
QFET®
Статус продукта
Obsolete
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
800 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
1.8A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
6.3Ohm @ 900mA, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
5V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
15 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±30V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
550 pF @ 25 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
2.5W (Ta), 50W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
TO-252AA
Упаковка / Чехол
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Базовый номер продукта
FQD2N80

Технический паспорт и документы

Технические характеристики
HTML Спецификация

Дополнительная информация

Стандартный пакет
2,500
Другие названия
FQD2N80TMDKR
FQD2N80TMCT
FQD2N80TMTR

Классификация окружающей среды и экспорта

Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095

Альтернативные модели

Номер детали
STD7NM80
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
STMicroelectronics
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
4929
Номер части
STD7NM80-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
1.69
Тип замещения
Similar
Сертификация DIGI
Связанные продукты
onsemi

FQPF7P20

MOSFET P-CH 200V 5.2A TO220F

onsemi

FDP8030L

MOSFET N-CH 30V 80A TO220-3

onsemi

NVD6416ANLT4G-001-VF01

MOSFET N-CH 100V 19A DPAK

onsemi

NVMFS5C404NLT3G

MOSFET N-CH 40V 49A/352A 5DFN