FQD7P20TM_F080
Производитель Номер продукта:

FQD7P20TM_F080

Product Overview

Производитель:

onsemi

Номер детали:

FQD7P20TM_F080-DG

Описание:

MOSFET P-CH 200V 5.7A DPAK
Подробное описание:
P-Channel 200 V 5.7A (Tc) 2.5W (Ta), 55W (Tc) Surface Mount TO-252AA

Инвентаризация:

12837310
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ

FQD7P20TM_F080 Технические характеристики

Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
onsemi
Упаковка
-
Серия
QFET®
Статус продукта
Obsolete
Тип полевых транзисторов
P-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
200 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
5.7A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
690mOhm @ 2.85A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
5V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
25 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±30V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
770 pF @ 25 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
2.5W (Ta), 55W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
TO-252AA
Упаковка / Чехол
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Базовый номер продукта
FQD7

Дополнительная информация

Стандартный пакет
2,500

Классификация окружающей среды и экспорта

Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095

Альтернативные модели

Номер детали
FQD7P20TM
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
onsemi
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
39
Номер части
FQD7P20TM-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
0.39
Тип замещения
Parametric Equivalent
Сертификация DIGI
Связанные продукты
onsemi

IRLR230ATF

MOSFET N-CH 200V 7.5A DPAK

onsemi

FCP067N65S3

MOSFET N-CH 650V 44A TO220

onsemi

HUFA75842P3

MOSFET N-CH 150V 43A TO220-3

onsemi

FDD4685-F085

MOSFET P-CH 40V 8.4A/32A DPAK