Производитель Номер продукта:
FQE10N20CTU
Product Overview
Производитель:
onsemi
Номер детали:
FQE10N20CTU-DG
Описание:
MOSFET N-CH 200V 4A TO126-3
Подробное описание:
N-Channel 200 V 4A (Tc) 12.8W (Tc) Through Hole TO-126-3
Инвентаризация:
12848531
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
FQE10N20CTU Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
onsemi
Упаковка
-
Серия
QFET®
Статус продукта
Obsolete
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
200 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
4A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
360mOhm @ 2A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
26 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±30V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
510 pF @ 25 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
12.8W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
TO-126-3
Упаковка / Чехол
TO-225AA, TO-126-3
Базовый номер продукта
FQE1
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
1,920
Классификация окружающей среды и экспорта
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
FQP5N80
MOSFET N-CH 800V 4.8A TO220-3
NTMFD4951NFT1G
MOSFET N-CH 30V 10.8A SO8FL
FDPF16N50T
MOSFET N-CH 500V 16A TO220F
