Производитель Номер продукта:
FQI12N60TU
Product Overview
Производитель:
onsemi
Номер детали:
FQI12N60TU-DG
Описание:
MOSFET N-CH 600V 10.5A I2PAK
Подробное описание:
N-Channel 600 V 10.5A (Tc) 3.13W (Ta), 180W (Tc) Through Hole TO-262 (I2PAK)
Инвентаризация:
12836483
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
FQI12N60TU Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
onsemi
Упаковка
-
Серия
QFET®
Статус продукта
Obsolete
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
600 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
10.5A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
700mOhm @ 5.3A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
5V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
54 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±30V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
1900 pF @ 25 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
3.13W (Ta), 180W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
TO-262 (I2PAK)
Упаковка / Чехол
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Базовый номер продукта
FQI1
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
1,000
Классификация окружающей среды и экспорта
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Альтернативные модели
Номер детали
AOW11N60
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
773
Номер части
AOW11N60-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
0.82
Тип замещения
Similar
Сертификация DIGI
Связанные продукты
3LN01C-TB-E
MOSFET N-CH 30V 150MA 3CP
FQP13N50C
MOSFET N-CH 500V 13A TO220-3
2SK4089LS
MOSFET N-CH 650V 8.5A TO220FI
