FQI5N80TU

Производитель Номер продукта:

FQI5N80TU

Product Overview

Производитель:

onsemi

Номер детали:

FQI5N80TU-DG

Описание:

MOSFET N-CH 800V 4.8A I2PAK

Подробное описание:

N-Channel 800 V 4.8A (Tc) 3.13W (Ta), 140W (Tc) Through Hole TO-262 (I2PAK)

Инвентаризация:

Запрос на предложение в Интернете

12851145

Запросить котировку

Количество
Минимум 1

fg2s

(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов

ОТПРАВИТЬ

FQI5N80TU Технические характеристики

Категория

ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET

Производитель

onsemi

Упаковка

-

Серия

QFET®

Статус продукта

Obsolete

Тип полевых транзисторов

N-Channel

Технологии

MOSFET (Metal Oxide)

Напряжение стока к источнику (Vdss)

800 V

Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C

4.8A (Tc)

Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)

10V

Rds On (макс.) @ id, vgs

2.6Ohm @ 2.4A, 10V

Vgs(th) (Макс) @ Id

5V @ 250µA

Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs

33 nC @ 10 V

Vgs (макс.)

±30V

Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds

1250 pF @ 25 V

Функция полевых транзисторов

-

Рассеиваемая мощность (макс.)

3.13W (Ta), 140W (Tc)

Рабочая температура

-55°C ~ 150°C (TJ)

Тип крепления

Through Hole

Комплект устройства поставщика

TO-262 (I2PAK)

Упаковка / Чехол

TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA

Базовый номер продукта

FQI5

Технический паспорт и документы

Технические характеристики

HTML Спецификация

Дополнительная информация

Стандартный пакет

1,000

Классификация окружающей среды и экспорта

Уровень чувствительности к влаге (MSL)

1 (Unlimited)

Статус REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

ХИТСУС

8541.29.0095

Сертификация DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Связанные продукты

onsemi

FQP5P20

MOSFET P-CH 200V 4.8A TO220-3

infineon-technologies

BSS806NL6327HTSA1

MOSFET N-CH 20V 2.3A SOT23-3

onsemi

FDN342P

MOSFET P-CH 20V 2A SUPERSOT3

onsemi

CPH6443-P-TL-H

MOSFET N-CH 35V 6A CPH6