Производитель Номер продукта:
FQI5N80TU
Product Overview
Производитель:
onsemi
Номер детали:
FQI5N80TU-DG
Описание:
MOSFET N-CH 800V 4.8A I2PAK
Подробное описание:
N-Channel 800 V 4.8A (Tc) 3.13W (Ta), 140W (Tc) Through Hole TO-262 (I2PAK)
Инвентаризация:
12851145
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
FQI5N80TU Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
onsemi
Упаковка
-
Серия
QFET®
Статус продукта
Obsolete
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
800 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
4.8A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
2.6Ohm @ 2.4A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
5V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
33 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±30V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
1250 pF @ 25 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
3.13W (Ta), 140W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
TO-262 (I2PAK)
Упаковка / Чехол
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Базовый номер продукта
FQI5
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
1,000
Классификация окружающей среды и экспорта
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
FQP5P20
MOSFET P-CH 200V 4.8A TO220-3
BSS806NL6327HTSA1
MOSFET N-CH 20V 2.3A SOT23-3
FDN342P
MOSFET P-CH 20V 2A SUPERSOT3
