Производитель Номер продукта:
FQP4N25
Product Overview
Производитель:
onsemi
Номер детали:
FQP4N25-DG
Описание:
MOSFET N-CH 250V 3.6A TO220-3
Подробное описание:
N-Channel 250 V 3.6A (Tc) 52W (Tc) Through Hole TO-220-3
Инвентаризация:
12849897
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
FQP4N25 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
onsemi
Упаковка
-
Серия
QFET®
Статус продукта
Obsolete
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
250 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
3.6A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
1.75Ohm @ 1.8A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
5V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
5.6 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±30V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
200 pF @ 25 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
52W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
TO-220-3
Упаковка / Чехол
TO-220-3
Базовый номер продукта
FQP4
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
50
Классификация окружающей среды и экспорта
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Альтернативные модели
Номер детали
IRF620PBF
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Vishay Siliconix
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
322
Номер части
IRF620PBF-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
0.40
Тип замещения
Similar
Сертификация DIGI
Связанные продукты
FCP22N60N-F102
MOSFET N-CH 600V 22A TO220-3
FQN1N60CBU
MOSFET N-CH 600V 300MA TO92-3
AOK2500L
MOSFET N-CH 150V 14A/180A TO247
