Производитель Номер продукта:
FQP6N15
Product Overview
Производитель:
onsemi
Номер детали:
FQP6N15-DG
Описание:
MOSFET N-CH 150V 6.4A TO220-3
Подробное описание:
N-Channel 150 V 6.4A (Tc) 63W (Tc) Through Hole TO-220-3
Инвентаризация:
12850575
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
FQP6N15 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
onsemi
Упаковка
-
Серия
QFET®
Статус продукта
Obsolete
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
150 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
6.4A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
600mOhm @ 3.2A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
8.5 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±25V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
270 pF @ 25 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
63W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
TO-220-3
Упаковка / Чехол
TO-220-3
Базовый номер продукта
FQP6
Дополнительная информация
Стандартный пакет
50
Классификация окружающей среды и экспорта
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Альтернативные модели
Номер детали
RCX080N25
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Rohm Semiconductor
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
246
Номер части
RCX080N25-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
0.43
Тип замещения
Direct
Сертификация DIGI
Связанные продукты
AOTF12N65
MOSFET N-CH 650V 12A TO220-3F
BSS100
MOSFET N-CH 100V 220MA TO92-3
FDV302P
MOSFET P-CH 25V 120MA SOT23
