FQP9N90C
Производитель Номер продукта:

FQP9N90C

Product Overview

Производитель:

onsemi

Номер детали:

FQP9N90C-DG

Описание:

MOSFET N-CH 900V 8A TO220-3
Подробное описание:
N-Channel 900 V 8A (Tc) 205W (Tc) Through Hole TO-220-3

Инвентаризация:

194 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12836538
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ

FQP9N90C Технические характеристики

Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
onsemi
Упаковка
Tube
Серия
QFET®
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
900 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
8A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
1.4Ohm @ 4A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
5V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
58 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±30V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
2730 pF @ 25 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
205W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
TO-220-3
Упаковка / Чехол
TO-220-3
Базовый номер продукта
FQP9

Технический паспорт и документы

Технические характеристики

Дополнительная информация

Стандартный пакет
50
Другие названия
FAIFSCFQP9N90C
FQP9N90COS
FQP9N90C-DG
FQP9N90CFS-DG
2156-FQP9N90C-OS
FQP9N90CFS

Классификация окружающей среды и экспорта

Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
Not Applicable
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
onsemi

FQA13N50CF_F109

MOSFET N-CH 500V 15A TO3PN

onsemi

FDD6796

MOSFET N-CH 25V 20A/40A DPAK

onsemi

FDN5630

MOSFET N-CH 60V 1.7A SUPERSOT3

onsemi

IRLR110ATF

MOSFET N-CH 100V 4.7A DPAK