Производитель Номер продукта:
FQPF17P10
Product Overview
Производитель:
onsemi
Номер детали:
FQPF17P10-DG
Описание:
MOSFET P-CH 100V 10.5A TO220F
Подробное описание:
P-Channel 100 V 10.5A (Tc) 41W (Tc) Through Hole TO-220F-3
Инвентаризация:
12847457
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
FQPF17P10 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
onsemi
Упаковка
-
Серия
QFET®
Статус продукта
Obsolete
Тип полевых транзисторов
P-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
100 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
10.5A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
190mOhm @ 5.25A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
39 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±30V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
1100 pF @ 25 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
41W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
TO-220F-3
Упаковка / Чехол
TO-220-3 Full Pack
Базовый номер продукта
FQPF1
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
1,000
Классификация окружающей среды и экспорта
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
FQD12P10TM
MOSFET P-CH 100V 9.4A TO252
FCH165N65S3R0-F155
MOSFET N-CH 650V 19A TO247-3
FQPF7N10L
MOSFET N-CH 100V 5.5A TO220F
