Производитель Номер продукта:
FQPF19N20CYDTU
Product Overview
Производитель:
onsemi
Номер детали:
FQPF19N20CYDTU-DG
Описание:
MOSFET N-CH 200V 19A TO220F-3
Подробное описание:
N-Channel 200 V 19A (Tc) 43W (Tc) Through Hole TO-220F-3 (Y-Forming)
Инвентаризация:
12838733
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
FQPF19N20CYDTU Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
onsemi
Упаковка
-
Серия
QFET®
Статус продукта
Obsolete
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
200 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
19A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
170mOhm @ 9.5A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
53 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±30V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
1080 pF @ 25 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
43W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
TO-220F-3 (Y-Forming)
Упаковка / Чехол
TO-220-3 Full Pack, Formed Leads
Базовый номер продукта
FQPF1
Дополнительная информация
Стандартный пакет
50
Классификация окружающей среды и экспорта
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Альтернативные модели
Сертификация DIGI
Связанные продукты
FQP13N10L
MOSFET N-CH 100V 12.8A TO220-3
FQPF3N80
MOSFET N-CH 800V 1.8A TO220F
HUF75329P3
MOSFET N-CH 55V 49A TO220-3
