Главная
Продукты
Производители
О DiGi
Связаться с нами
Блоги и посты
ЗАПРОС ЦЕНЫ/Котировка
Russian
Войти
Выборочный язык
Текущий язык на ваш выбор:
Russian
Переключить:
Английский
Европа
Великобритания
Франция
Испания
Турция
Молдова
Литва
Норвегия
Германия
Португалия
Словакия
ЛТАЛЫ
Финляндия
Русский
Болгария
Дания
Эстония
Польша
Украина
Словения
Чешский
Греческий
Хорватия
Израиль
Сербия
Беларусь
Нидерланды
Швеция
Черногория
Баскский
Исландия
Босния
Венгерский
Румыния
Австрия
Бельгия
Ирландия
Азиатско-Тихоокеанский регион
Китай
Вьетнам
Индонезия
Таиланд
Лаос
Филиппинский
Малайзия
Корея
Япония
Гонконг
Тайвань
Сингапур
Пакистан
Саудовская Аравия
Катар
Кувейт
Камбоджа
Мьянма
Африка, Индия и Ближний Восток
Объединённые Арабские Эмираты
Таджикистан
Мадагаскар
Индия
Иран
ДР Конго
Южная Африка
Египет
Кения
Танзания
Гана
Сенегал
Марокко
Тунис
Южная Америка / Океания
Новая Зеландия
Ангола
Бразилия
Мозамбик
Перу
Колумбия
Чили
Венесуэла
Эквадор
Боливия
Уругвай
Аргентина
Парагвай
Австралия
Северная Америка
США
Гаити
Канада
Коста-Рика
Мексика
О DiGi
О нас
О нас
Наши сертификаты
DiGi Введение
Почему DiGi
Политика
Политика качества
Условия использования
Соблюдение RoHS
Процесс возврата
Ресурсы
Категории продуктов
Производители
Блоги и посты
Услуги
Гарантия качества
Способ оплаты
Глобальная доставка
Тарифы на доставку
Часто задаваемые вопросы
Производитель Номер продукта:
FQPF2N80YDTU
Product Overview
Производитель:
onsemi
Номер детали:
FQPF2N80YDTU-DG
Описание:
MOSFET N-CH 800V 1.5A TO220F-3
Подробное описание:
N-Channel 800 V 1.5A (Tc) 35W (Tc) Through Hole TO-220F-3 (Y-Forming)
Инвентаризация:
2144 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12848344
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
*
Компания
*
Имя контакта
*
Телефон
*
Электронная почта
Адрес доставки
Сообщение
(
*
) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
FQPF2N80YDTU Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
onsemi
Упаковка
Tube
Серия
QFET®
Статус продукта
Obsolete
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
800 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
1.5A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
6.3Ohm @ 750mA, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
5V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
15 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±30V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
550 pF @ 25 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
35W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
TO-220F-3 (Y-Forming)
Упаковка / Чехол
TO-220-3 Full Pack, Formed Leads
Базовый номер продукта
FQPF2
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
FQPF2N80YDTU
HTML Спецификация
FQPF2N80YDTU-DG
Дополнительная информация
Стандартный пакет
50
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
Not Applicable
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Альтернативные модели
Номер детали
FQPF2N80
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
onsemi
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
987
Номер части
FQPF2N80-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
0.66
Тип замещения
MFR Recommended
Номер детали
IRFIBE20GPBF
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Vishay Siliconix
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
37
Номер части
IRFIBE20GPBF-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
1.13
Тип замещения
Similar
Сертификация DIGI
Связанные продукты
BUK963R3-60E,118
MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK
FDMA86265P
MOSFET P-CH 150V 1A 6MICROFET
FQP34N20
MOSFET N-CH 200V 31A TO220-3
AOD240
MOSFET N-CH 40V 23A/70A TO252