Производитель Номер продукта:
FQPF33N10
Product Overview
Производитель:
onsemi
Номер детали:
FQPF33N10-DG
Описание:
MOSFET N-CH 100V 18A TO220F
Подробное описание:
N-Channel 100 V 18A (Tc) 41W (Tc) Through Hole TO-220F-3
Инвентаризация:
202 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12839473
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
FQPF33N10 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
onsemi
Упаковка
Tube
Серия
QFET®
Статус продукта
Obsolete
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
100 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
18A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
52mOhm @ 9A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
51 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±25V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
1500 pF @ 25 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
41W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
TO-220F-3
Упаковка / Чехол
TO-220-3 Full Pack
Базовый номер продукта
FQPF3
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
Дополнительная информация
Стандартный пакет
1,000
Другие названия
ONSONSFQPF33N10
2156-FQPF33N10-OS
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
Not Applicable
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
FQPF5P10
MOSFET P-CH 100V 2.9A TO220F
FDC637BNZ
MOSFET N-CH 20V 6.2A SUPERSOT6
FQB34P10TM-F085P
MOSFET P-CH 100V 33.5A D2PAK
