Производитель Номер продукта:
FQPF8P10
Product Overview
Производитель:
onsemi
Номер детали:
FQPF8P10-DG
Описание:
MOSFET P-CH 100V 5.3A TO220F
Подробное описание:
P-Channel 100 V 5.3A (Tc) 28W (Tc) Through Hole TO-220F-3
Инвентаризация:
12839548
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
FQPF8P10 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
onsemi
Упаковка
-
Серия
QFET®
Статус продукта
Obsolete
Тип полевых транзисторов
P-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
100 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
5.3A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
530mOhm @ 2.65A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
15 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±30V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
470 pF @ 25 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
28W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
TO-220F-3
Упаковка / Чехол
TO-220-3 Full Pack
Базовый номер продукта
FQPF8
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
1,000
Классификация окружающей среды и экспорта
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
FDP8874
MOSFET N-CH 30V 16A/114A TO220-3
FDD6N50FTM
MOSFET N-CH 500V 5.5A DPAK
FQP30N06L
MOSFET N-CH 60V 32A TO220-3
