Производитель Номер продукта:
FQU10N20LTU
Product Overview
Производитель:
onsemi
Номер детали:
FQU10N20LTU-DG
Описание:
MOSFET N-CH 200V 7.6A IPAK
Подробное описание:
N-Channel 200 V 7.6A (Tc) 2.5W (Ta), 51W (Tc) Through Hole I-PAK
Инвентаризация:
12838463
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
FQU10N20LTU Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
onsemi
Упаковка
-
Серия
QFET®
Статус продукта
Obsolete
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
200 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
7.6A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
360mOhm @ 3.8A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
17 nC @ 5 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
830 pF @ 25 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
2.5W (Ta), 51W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
I-PAK
Упаковка / Чехол
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Базовый номер продукта
FQU1
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
70
Классификация окружающей среды и экспорта
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
HUFA76429D3ST
MOSFET N-CH 60V 20A TO252AA
FQP9N25CTSTU
MOSFET N-CH 250V 8.8A TO220-3
FDP10N60NZ
MOSFET N-CH 600V 10A TO220-3