Производитель Номер продукта:
FQU1N80TU
Product Overview
Производитель:
onsemi
Номер детали:
FQU1N80TU-DG
Описание:
MOSFET N-CH 800V 1A IPAK
Подробное описание:
N-Channel 800 V 1A (Tc) 2.5W (Ta), 45W (Tc) Through Hole IPAK
Инвентаризация:
12837942
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
FQU1N80TU Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
onsemi
Упаковка
-
Серия
QFET®
Статус продукта
Obsolete
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
800 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
1A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
20Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
5V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
7.2 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±30V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
195 pF @ 25 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
2.5W (Ta), 45W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
IPAK
Упаковка / Чехол
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Базовый номер продукта
FQU1N80
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
70
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
Not Applicable
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
FQPF2N80
MOSFET N-CH 800V 1.5A TO220F
AUIRF4905S
MOSFET P-CH 55V 42A D2PAK
2SK4099LS-1E
MOSFET N-CH 600V 6.9A TO220F-3FS
