Производитель Номер продукта:
HUF75329G3
Product Overview
Производитель:
onsemi
Номер детали:
HUF75329G3-DG
Описание:
MOSFET N-CH 55V 49A TO247-3
Подробное описание:
N-Channel 55 V 49A (Tc) 128W (Tc) Through Hole TO-247-3
Инвентаризация:
12839254
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
HUF75329G3 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
onsemi
Упаковка
-
Серия
UltraFET™
Статус продукта
Obsolete
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
55 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
49A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
24mOhm @ 49A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
75 nC @ 20 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
1060 pF @ 25 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
128W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
TO-247-3
Упаковка / Чехол
TO-247-3
Базовый номер продукта
HUF75
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
150
Классификация окружающей среды и экспорта
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Альтернативные модели
Номер детали
IXTH80N075L2
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
IXYS
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
226
Номер части
IXTH80N075L2-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
4.29
Тип замещения
Similar
Сертификация DIGI
Связанные продукты
FDS7066ASN3
MOSFET N-CH 30V 19A 8SO
FQB55N06TM
MOSFET N-CH 60V 55A D2PAK
FQD13N10LTM_NBEL001
MOSFET N-CH 100V 10A DPAK
