Производитель Номер продукта:
HUF76629D3ST
Product Overview
Производитель:
onsemi
Номер детали:
HUF76629D3ST-DG
Описание:
MOSFET N-CH 100V 20A TO252AA
Подробное описание:
N-Channel 100 V 20A (Tc) 110W (Tc) Surface Mount TO-252AA
Инвентаризация:
17120 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12839005
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
HUF76629D3ST Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
onsemi
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
UltraFET™
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
100 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
20A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
4.5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
52mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
3V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
46 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±16V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
1285 pF @ 25 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
110W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
TO-252AA
Упаковка / Чехол
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Базовый номер продукта
HUF76629
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
Дополнительная информация
Стандартный пакет
2,500
Другие названия
HUF76629D3STTR
HUF76629D3ST-DG
HUF76629D3STCT
HUF76629D3STDKR
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
FQAF11N40
MOSFET N-CH 400V 8.8A TO3PF
FDS6699S
MOSFET N-CH 30V 21A 8SOIC
AUIRF1404Z
MOSFET N-CH 40V 160A TO220AB
