Производитель Номер продукта:
IRFNL210BTA-FP001
Product Overview
Производитель:
onsemi
Номер детали:
IRFNL210BTA-FP001-DG
Описание:
MOSFET N-CH 200V 1A TO92L
Подробное описание:
N-Channel 200 V 1A (Tc) 3.1W (Ta) Through Hole TO-92L
Инвентаризация:
12847558
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
IRFNL210BTA-FP001 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
onsemi
Упаковка
-
Серия
-
Статус продукта
Obsolete
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
200 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
1A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
1.5Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
9.3 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±30V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
225 pF @ 25 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
3.1W (Ta)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
TO-92L
Упаковка / Чехол
TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Базовый номер продукта
IRFNL
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
2,000
Другие названия
IRFNL210BTA_FP001-DG
IRFNL210BTA_FP001
Классификация окружающей среды и экспорта
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
FDS8813NZ
MOSFET N-CH 30V 18.5A 8SOIC
NTD5C688NLT4G
MOSFET N-CH 60V 7.5A/17A DPAK
CPH3348-TL-W
MOSFET P-CH 12V 3A 3CPH
