Главная
Продукты
Производители
О DiGi
Связаться с нами
Блоги и посты
ЗАПРОС ЦЕНЫ/Котировка
Russian
Войти
Выборочный язык
Текущий язык на ваш выбор:
Russian
Переключить:
Английский
Европа
Великобритания
ДР Конго
Аргентина
Турция
Румыния
Литва
Норвегия
Австрия
Ангола
Словакия
ЛТАЛЫ
Финляндия
Беларусь
Болгария
Дания
Эстония
Польша
Украина
Словения
Чешский
Греческий
Хорватия
Израиль
Черногория
Русский
Бельгия
Швеция
Сербия
Баскский
Исландия
Босния
Венгерский
Молдова
Германия
Нидерланды
Ирландия
Азиатско-Тихоокеанский регион
Китай
Вьетнам
Индонезия
Таиланд
Лаос
Филиппинский
Малайзия
Корея
Япония
Гонконг
Тайвань
Сингапур
Пакистан
Саудовская Аравия
Катар
Кувейт
Камбоджа
Мьянма
Африка, Индия и Ближний Восток
Объединённые Арабские Эмираты
Таджикистан
Мадагаскар
Индия
Иран
Франция
Южная Африка
Египет
Кения
Танзания
Гана
Сенегал
Марокко
Тунис
Южная Америка / Океания
Новая Зеландия
Португалия
Бразилия
Мозамбик
Перу
Колумбия
Чили
Венесуэла
Эквадор
Боливия
Уругвай
Испания
Парагвай
Австралия
Северная Америка
США
Гаити
Канада
Коста-Рика
Мексика
О DiGi
О нас
О нас
Наши сертификаты
DiGi Введение
Почему DiGi
Политика
Политика качества
Условия использования
Соблюдение RoHS
Процесс возврата
Ресурсы
Категории продуктов
Производители
Блоги и посты
Услуги
Гарантия качества
Способ оплаты
Глобальная доставка
Тарифы на доставку
Часто задаваемые вопросы
Производитель Номер продукта:
KSB1151YSTSTU
Product Overview
Производитель:
onsemi
Номер детали:
KSB1151YSTSTU-DG
Описание:
TRANS PNP 60V 5A TO126-3
Подробное описание:
Bipolar (BJT) Transistor PNP 60 V 5 A 1.3 W Through Hole TO-126-3
Инвентаризация:
Запрос на предложение в Интернете
12836531
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
*
Компания
*
Имя контакта
*
Телефон
*
Электронная почта
Адрес доставки
Сообщение
(
*
) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
KSB1151YSTSTU Технические характеристики
Категория
Биполярный транзистор (BJT), Одиночные биполярные транзисторы
Производитель
onsemi
Упаковка
-
Серия
-
Статус продукта
Obsolete
Тип транзистора
PNP
Ток - коллектор (IC) (макс.)
5 A
Напряжение - пробой эмиттера коллектора (макс.)
60 V
vce сатурация (макс.) @ ib, ic
300mV @ 200mA, 2A
Ток - Отсечка коллектора (макс.)
10µA (ICBO)
Усиление по постоянному току (hFE) (мин) @ Ic, Vce
160 @ 2A, 1V
Мощность - Макс
1.3 W
Частота - переход
-
Рабочая температура
150°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Упаковка / Чехол
TO-225AA, TO-126-3
Комплект устройства поставщика
TO-126-3
Базовый номер продукта
KSB11
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
KSB1151YSTSTU
HTML Спецификация
KSB1151YSTSTU-DG
Дополнительная информация
Стандартный пакет
60
Классификация окружающей среды и экспорта
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Альтернативные модели
Номер детали
BD438
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
STMicroelectronics
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
2574
Номер части
BD438-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
0.25
Тип замещения
Similar
Номер детали
2N4919G
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
onsemi
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
953
Номер части
2N4919G-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
0.25
Тип замещения
Similar
Номер детали
KSB1151YSTU
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Fairchild Semiconductor
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
29443
Номер части
KSB1151YSTU-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
0.36
Тип замещения
Direct
Сертификация DIGI
Связанные продукты
KSD1616GBU
TRANS NPN 50V 1A TO92-3
KSE803STU
TRANS NPN DARL 80V 4A TO126-3
2N5194G
TRANS PNP 60V 4A TO126
2N4126TA
TRANS PNP 25V 0.2A TO92-3