Главная
Продукты
Производители
О DiGi
Связаться с нами
Блоги и посты
ЗАПРОС ЦЕНЫ/Котировка
Russian
Войти
Выборочный язык
Текущий язык на ваш выбор:
Russian
Переключить:
Английский
Европа
Великобритания
ДР Конго
Аргентина
Турция
Румыния
Литва
Норвегия
Австрия
Ангола
Словакия
ЛТАЛЫ
Финляндия
Беларусь
Болгария
Дания
Эстония
Польша
Украина
Словения
Чешский
Греческий
Хорватия
Израиль
Черногория
Русский
Бельгия
Швеция
Сербия
Баскский
Исландия
Босния
Венгерский
Молдова
Германия
Нидерланды
Ирландия
Азиатско-Тихоокеанский регион
Китай
Вьетнам
Индонезия
Таиланд
Лаос
Филиппинский
Малайзия
Корея
Япония
Гонконг
Тайвань
Сингапур
Пакистан
Саудовская Аравия
Катар
Кувейт
Камбоджа
Мьянма
Африка, Индия и Ближний Восток
Объединённые Арабские Эмираты
Таджикистан
Мадагаскар
Индия
Иран
Франция
Южная Африка
Египет
Кения
Танзания
Гана
Сенегал
Марокко
Тунис
Южная Америка / Океания
Новая Зеландия
Португалия
Бразилия
Мозамбик
Перу
Колумбия
Чили
Венесуэла
Эквадор
Боливия
Уругвай
Испания
Парагвай
Австралия
Северная Америка
США
Гаити
Канада
Коста-Рика
Мексика
О DiGi
О нас
О нас
Наши сертификаты
DiGi Введение
Почему DiGi
Политика
Политика качества
Условия использования
Соблюдение RoHS
Процесс возврата
Ресурсы
Категории продуктов
Производители
Блоги и посты
Услуги
Гарантия качества
Способ оплаты
Глобальная доставка
Тарифы на доставку
Часто задаваемые вопросы
Производитель Номер продукта:
KSE800S
Product Overview
Производитель:
onsemi
Номер детали:
KSE800S-DG
Описание:
TRANS NPN DARL 60V 4A TO126-3
Подробное описание:
Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 60 V 4 A 40 W Through Hole TO-126-3
Инвентаризация:
Запрос на предложение в Интернете
12837300
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
*
Компания
*
Имя контакта
*
Телефон
*
Электронная почта
Адрес доставки
Сообщение
(
*
) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
KSE800S Технические характеристики
Категория
Биполярный транзистор (BJT), Одиночные биполярные транзисторы
Производитель
onsemi
Упаковка
-
Серия
-
Статус продукта
Obsolete
Тип транзистора
NPN - Darlington
Ток - коллектор (IC) (макс.)
4 A
Напряжение - пробой эмиттера коллектора (макс.)
60 V
vce сатурация (макс.) @ ib, ic
2.5V @ 30mA, 1.5A
Ток - Отсечка коллектора (макс.)
100µA
Усиление по постоянному току (hFE) (мин) @ Ic, Vce
750 @ 1.5A, 3V
Мощность - Макс
40 W
Частота - переход
-
Рабочая температура
150°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Упаковка / Чехол
TO-225AA, TO-126-3
Комплект устройства поставщика
TO-126-3
Базовый номер продукта
KSE80
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
KSE800S
HTML Спецификация
KSE800S-DG
Дополнительная информация
Стандартный пакет
2,000
Классификация окружающей среды и экспорта
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Альтернативные модели
Номер детали
BD677A
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
STMicroelectronics
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
0
Номер части
BD677A-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
0.46
Тип замещения
Similar
Номер детали
KSE800STU
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Fairchild Semiconductor
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
1089
Номер части
KSE800STU-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
0.51
Тип замещения
Direct
Номер детали
BD677
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
STMicroelectronics
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
100
Номер части
BD677-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
0.13
Тип замещения
Direct
Сертификация DIGI
Связанные продукты
KSC1507OTU
TRANS NPN 300V 200UA TO220-3
BDV64B
TRANS PNP DARL 100V 10A SOT93
BC847BMTF
TRANS NPN 45V 0.1A SOT23-3
KSD1691YS
TRANS NPN 60V 5A TO126-3