MJ11029G
Производитель Номер продукта:

MJ11029G

Product Overview

Производитель:

onsemi

Номер детали:

MJ11029G-DG

Описание:

POWER BIPOLAR TRANSISTOR, 50A, 6
Подробное описание:
Bipolar (BJT) Transistor PNP - Darlington 60 V 50 A 300 W Through Hole TO-204 (TO-3)

Инвентаризация:

350 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12968022
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ

MJ11029G Технические характеристики

Категория
Биполярный транзистор (BJT), Одиночные биполярные транзисторы
Производитель
onsemi
Упаковка
Bulk
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип транзистора
PNP - Darlington
Ток - коллектор (IC) (макс.)
50 A
Напряжение - пробой эмиттера коллектора (макс.)
60 V
vce сатурация (макс.) @ ib, ic
3.5V @ 500mA, 50A
Ток - Отсечка коллектора (макс.)
2mA
Усиление по постоянному току (hFE) (мин) @ Ic, Vce
1000 @ 25A, 5V
Мощность - Макс
300 W
Частота - переход
-
Рабочая температура
-55°C ~ 200°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Упаковка / Чехол
TO-204AE
Комплект устройства поставщика
TO-204 (TO-3)

Технический паспорт и документы

Технические характеристики

Дополнительная информация

Стандартный пакет
116
Другие названия
2156-MJ11029G-488

Классификация окружающей среды и экспорта

Уровень чувствительности к влаге (MSL)
Vendor Undefined
Статус REACH
REACH Unaffected
Сертификация DIGI
Связанные продукты
sanyo

2SC3458L

2SC3458 - NPN TRIPLE DIFFUSED PL

fairchild-semiconductor

SS9014CBU

TRANS NPN 45V 0.1A TO92-3

renesas-electronics-america

RJP63K2DPK-M2#T0

DISCTRETE / POWER TRANSISTOR

nxp-semiconductors

PMBT2907A,215

NEXPERIA PMBT2907A - SMALL SIGNA