Главная
Продукты
Производители
О DiGi
Связаться с нами
Блоги и посты
ЗАПРОС ЦЕНЫ/Котировка
Russian
Войти
Выборочный язык
Текущий язык на ваш выбор:
Russian
Переключить:
Английский
Европа
Великобритания
ДР Конго
Аргентина
Турция
Румыния
Литва
Норвегия
Австрия
Ангола
Словакия
ЛТАЛЫ
Финляндия
Беларусь
Болгария
Дания
Эстония
Польша
Украина
Словения
Чешский
Греческий
Хорватия
Израиль
Черногория
Русский
Бельгия
Швеция
Сербия
Баскский
Исландия
Босния
Венгерский
Молдова
Германия
Нидерланды
Ирландия
Азиатско-Тихоокеанский регион
Китай
Вьетнам
Индонезия
Таиланд
Лаос
Филиппинский
Малайзия
Корея
Япония
Гонконг
Тайвань
Сингапур
Пакистан
Саудовская Аравия
Катар
Кувейт
Камбоджа
Мьянма
Африка, Индия и Ближний Восток
Объединённые Арабские Эмираты
Таджикистан
Мадагаскар
Индия
Иран
Франция
Южная Африка
Египет
Кения
Танзания
Гана
Сенегал
Марокко
Тунис
Южная Америка / Океания
Новая Зеландия
Португалия
Бразилия
Мозамбик
Перу
Колумбия
Чили
Венесуэла
Эквадор
Боливия
Уругвай
Испания
Парагвай
Австралия
Северная Америка
США
Гаити
Канада
Коста-Рика
Мексика
О DiGi
О нас
О нас
Наши сертификаты
DiGi Введение
Почему DiGi
Политика
Политика качества
Условия использования
Соблюдение RoHS
Процесс возврата
Ресурсы
Категории продуктов
Производители
Блоги и посты
Услуги
Гарантия качества
Способ оплаты
Глобальная доставка
Тарифы на доставку
Часто задаваемые вопросы
Производитель Номер продукта:
MJD117T4
Product Overview
Производитель:
onsemi
Номер детали:
MJD117T4-DG
Описание:
TRANS DARL PNP 2A 100V DPAK
Подробное описание:
Bipolar (BJT) Transistor PNP - Darlington 100 V 2 A 25MHz 20 W Surface Mount DPAK
Инвентаризация:
Запрос на предложение в Интернете
12840549
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
*
Компания
*
Имя контакта
*
Телефон
*
Электронная почта
Адрес доставки
Сообщение
(
*
) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
MJD117T4 Технические характеристики
Категория
Биполярный транзистор (BJT), Одиночные биполярные транзисторы
Производитель
onsemi
Упаковка
-
Серия
-
Статус продукта
Obsolete
Тип транзистора
PNP - Darlington
Ток - коллектор (IC) (макс.)
2 A
Напряжение - пробой эмиттера коллектора (макс.)
100 V
vce сатурация (макс.) @ ib, ic
2V @ 8mA, 2A
Ток - Отсечка коллектора (макс.)
20µA
Усиление по постоянному току (hFE) (мин) @ Ic, Vce
1000 @ 2A, 3V
Мощность - Макс
20 W
Частота - переход
25MHz
Рабочая температура
-65°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Упаковка / Чехол
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Комплект устройства поставщика
DPAK
Базовый номер продукта
MJD11
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
MJD117T4
HTML Спецификация
MJD117T4-DG
Дополнительная информация
Стандартный пакет
2,500
Другие названия
MJD117T4OSDKR
MJD117T4OSCT
MJD117T4OSTR
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
RoHS non-compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Альтернативные модели
Номер детали
MJD117T4G
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
onsemi
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
2150
Номер части
MJD117T4G-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
0.25
Тип замещения
Similar
Номер детали
MJD117T4
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
STMicroelectronics
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
2233
Номер части
MJD117T4-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
0.22
Тип замещения
Direct
Сертификация DIGI
Связанные продукты
2SD1938FTL
TRANS NPN 20V 0.3A MINI3
MJD2955TF
TRANS PNP 60V 10A DPAK
2SD11990S
TRANS NPN 40V 0.05A M TYPE
KSA643OTA
TRANS PNP 20V 0.5A TO92-3