Производитель Номер продукта:
MJD44H11-1G
Product Overview
Производитель:
onsemi
Номер детали:
MJD44H11-1G-DG
Описание:
TRANS NPN 80V 8A IPAK
Подробное описание:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 80 V 8 A 85MHz 1.75 W Through Hole I-PAK
Инвентаризация:
12849282
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
MJD44H11-1G Технические характеристики
Категория
Биполярный транзистор (BJT), Одиночные биполярные транзисторы
Производитель
onsemi
Упаковка
Tube
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип транзистора
NPN
Ток - коллектор (IC) (макс.)
8 A
Напряжение - пробой эмиттера коллектора (макс.)
80 V
vce сатурация (макс.) @ ib, ic
1V @ 400mA, 8A
Ток - Отсечка коллектора (макс.)
1µA
Усиление по постоянному току (hFE) (мин) @ Ic, Vce
40 @ 4A, 1V
Мощность - Макс
1.75 W
Частота - переход
85MHz
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Упаковка / Чехол
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Комплект устройства поставщика
I-PAK
Базовый номер продукта
MJD44
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
75
Другие названия
MJD44H111G
2156-MJD44H11-1G-OS
ONSONSMJD44H11-1G
MJD44H11-1GOS
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0075
Сертификация DIGI
Связанные продукты
