Производитель Номер продукта:
MJD6039T4G
Product Overview
Производитель:
onsemi
Номер детали:
MJD6039T4G-DG
Описание:
TRANS NPN DARL 80V 4A DPAK
Подробное описание:
Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 80 V 4 A 1.75 W Surface Mount DPAK
Инвентаризация:
2250 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12840396
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
MJD6039T4G Технические характеристики
Категория
Биполярный транзистор (BJT), Одиночные биполярные транзисторы
Производитель
onsemi
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип транзистора
NPN - Darlington
Ток - коллектор (IC) (макс.)
4 A
Напряжение - пробой эмиттера коллектора (макс.)
80 V
vce сатурация (макс.) @ ib, ic
2.5V @ 8mA, 2A
Ток - Отсечка коллектора (макс.)
10µA
Усиление по постоянному току (hFE) (мин) @ Ic, Vce
500 @ 2A, 4V
Мощность - Макс
1.75 W
Частота - переход
-
Рабочая температура
-65°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Упаковка / Чехол
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Комплект устройства поставщика
DPAK
Базовый номер продукта
MJD6039
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
2,500
Другие названия
MJD6039T4GOSTR
2156-MJD6039T4G-OS
MJD6039T4GOSCT
MJD6039T4G-DG
ONSONSMJD6039T4G
=MJD6039T4GOSCT-DG
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Альтернативные модели
Номер детали
2SD1223(TE16L1,NQ)
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Toshiba Semiconductor and Storage
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
1345
Номер части
2SD1223(TE16L1,NQ)-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
0.31
Тип замещения
Similar
Сертификация DIGI
Связанные продукты
MJD31CT4G
TRANS NPN 100V 3A DPAK
KSC2688OSTU
TRANS NPN 300V 0.2A TO126
FZT790A
TRANS PNP 40V 3A SOT223-4
