Главная
Продукты
Производители
О DiGi
Связаться с нами
Блоги и посты
ЗАПРОС ЦЕНЫ/Котировка
Russian
Войти
Выборочный язык
Текущий язык на ваш выбор:
Russian
Переключить:
Английский
Европа
Великобритания
ДР Конго
Аргентина
Турция
Румыния
Литва
Норвегия
Австрия
Ангола
Словакия
ЛТАЛЫ
Финляндия
Беларусь
Болгария
Дания
Эстония
Польша
Украина
Словения
Чешский
Греческий
Хорватия
Израиль
Черногория
Русский
Бельгия
Швеция
Сербия
Баскский
Исландия
Босния
Венгерский
Молдова
Германия
Нидерланды
Ирландия
Азиатско-Тихоокеанский регион
Китай
Вьетнам
Индонезия
Таиланд
Лаос
Филиппинский
Малайзия
Корея
Япония
Гонконг
Тайвань
Сингапур
Пакистан
Саудовская Аравия
Катар
Кувейт
Камбоджа
Мьянма
Африка, Индия и Ближний Восток
Объединённые Арабские Эмираты
Таджикистан
Мадагаскар
Индия
Иран
Франция
Южная Африка
Египет
Кения
Танзания
Гана
Сенегал
Марокко
Тунис
Южная Америка / Океания
Новая Зеландия
Португалия
Бразилия
Мозамбик
Перу
Колумбия
Чили
Венесуэла
Эквадор
Боливия
Уругвай
Испания
Парагвай
Австралия
Северная Америка
США
Гаити
Канада
Коста-Рика
Мексика
О DiGi
О нас
О нас
Наши сертификаты
DiGi Введение
Почему DiGi
Политика
Политика качества
Условия использования
Соблюдение RoHS
Процесс возврата
Ресурсы
Категории продуктов
Производители
Блоги и посты
Услуги
Гарантия качества
Способ оплаты
Глобальная доставка
Тарифы на доставку
Часто задаваемые вопросы
Производитель Номер продукта:
MJE180G
Product Overview
Производитель:
onsemi
Номер детали:
MJE180G-DG
Описание:
TRANS NPN 40V 3A TO126
Подробное описание:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 40 V 3 A 50MHz 1.5 W Through Hole TO-126
Инвентаризация:
139 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12855392
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
*
Компания
*
Имя контакта
*
Телефон
*
Электронная почта
Адрес доставки
Сообщение
(
*
) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
MJE180G Технические характеристики
Категория
Биполярный транзистор (BJT), Одиночные биполярные транзисторы
Производитель
onsemi
Упаковка
Bulk
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип транзистора
NPN
Ток - коллектор (IC) (макс.)
3 A
Напряжение - пробой эмиттера коллектора (макс.)
40 V
vce сатурация (макс.) @ ib, ic
1.7V @ 600mA, 3A
Ток - Отсечка коллектора (макс.)
100nA (ICBO)
Усиление по постоянному току (hFE) (мин) @ Ic, Vce
50 @ 100mA, 1V
Мощность - Макс
1.5 W
Частота - переход
50MHz
Рабочая температура
-65°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Упаковка / Чехол
TO-225AA, TO-126-3
Комплект устройства поставщика
TO-126
Базовый номер продукта
MJE180
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
MJE180G
HTML Спецификация
MJE180G-DG
Дополнительная информация
Стандартный пакет
500
Другие названия
ONSONSMJE180G
2156-MJE180G-OS
MJE180GOS
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
Not Applicable
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0075
Альтернативные модели
Номер детали
2SD882
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
STMicroelectronics
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
1330
Номер части
2SD882-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
0.28
Тип замещения
Similar
Номер детали
MJE180 PBFREE
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Central Semiconductor Corp
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
1112
Номер части
MJE180 PBFREE-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
0.84
Тип замещения
Parametric Equivalent
Номер детали
MJE180STU
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Fairchild Semiconductor
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
7680
Номер части
MJE180STU-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
0.25
Тип замещения
Direct
Сертификация DIGI
Связанные продукты
PZT751T1G
TRANS PNP 60V 2A SOT223
MJD32CT4G
TRANS PNP 100V 3A DPAK
MJF31C
TRANS NPN 100V 3A TO220FP
KSD568OTU
TRANS NPN 60V 7A TO220-3