Производитель Номер продукта:
MJE181G
Product Overview
Производитель:
onsemi
Номер детали:
MJE181G-DG
Описание:
TRANS NPN 60V 3A TO126
Подробное описание:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 60 V 3 A 50MHz 1.5 W Through Hole TO-126
Инвентаризация:
408 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12853178
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
MJE181G Технические характеристики
Категория
Биполярный транзистор (BJT), Одиночные биполярные транзисторы
Производитель
onsemi
Упаковка
Bulk
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип транзистора
NPN
Ток - коллектор (IC) (макс.)
3 A
Напряжение - пробой эмиттера коллектора (макс.)
60 V
vce сатурация (макс.) @ ib, ic
1.7V @ 600mA, 3A
Ток - Отсечка коллектора (макс.)
100nA (ICBO)
Усиление по постоянному току (hFE) (мин) @ Ic, Vce
50 @ 100mA, 1V
Мощность - Макс
1.5 W
Частота - переход
50MHz
Рабочая температура
-65°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Упаковка / Чехол
TO-225AA, TO-126-3
Комплект устройства поставщика
TO-126
Базовый номер продукта
MJE181
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
500
Другие названия
ONSONSMJE181G
2156-MJE181G-OS
2832-MJE181G
MJE181GOS
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
Not Applicable
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0075
Альтернативные модели
Номер детали
MJE181STU
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Fairchild Semiconductor
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
4017
Номер части
MJE181STU-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
0.20
Тип замещения
Direct
Сертификация DIGI
Связанные продукты
MJD32CTM
TRANS PNP 100V 3A DPAK
KSD882OS
TRANS NPN 30V 3A TO126-3
KSA1010Y
TRANS PNP 100V 7A TO220-3
