Производитель Номер продукта:
MJE200G
Product Overview
Производитель:
onsemi
Номер детали:
MJE200G-DG
Описание:
TRANS NPN 40V 5A TO126
Подробное описание:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 40 V 5 A 65MHz 15 W Through Hole TO-126
Инвентаризация:
7148 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12849162
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
MJE200G Технические характеристики
Категория
Биполярный транзистор (BJT), Одиночные биполярные транзисторы
Производитель
onsemi
Упаковка
Bulk
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип транзистора
NPN
Ток - коллектор (IC) (макс.)
5 A
Напряжение - пробой эмиттера коллектора (макс.)
40 V
vce сатурация (макс.) @ ib, ic
1.8V @ 1A, 5A
Ток - Отсечка коллектора (макс.)
100nA (ICBO)
Усиление по постоянному току (hFE) (мин) @ Ic, Vce
45 @ 2A, 1V
Мощность - Макс
15 W
Частота - переход
65MHz
Рабочая температура
-65°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Упаковка / Чехол
TO-225AA, TO-126-3
Комплект устройства поставщика
TO-126
Базовый номер продукта
MJE200
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
500
Другие названия
2156-MJE200G-OS
MJE200GOS
ONSONSMJE200G
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
Not Applicable
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0075
Сертификация DIGI
Связанные продукты
BUL45G
TRANS NPN 400V 5A TO220
BC80725MTF
TRANS PNP 45V 0.8A SOT23-3
FJP5021O
TRANS NPN 500V 5A TO220-3
