Производитель Номер продукта:
MJE350G
Product Overview
Производитель:
onsemi
Номер детали:
MJE350G-DG
Описание:
TRANS PNP 300V 0.5A TO126
Подробное описание:
Bipolar (BJT) Transistor PNP 300 V 500 mA 20 W Through Hole TO-126
Инвентаризация:
3226 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12853643
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
MJE350G Технические характеристики
Категория
Биполярный транзистор (BJT), Одиночные биполярные транзисторы
Производитель
onsemi
Упаковка
Bulk
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип транзистора
PNP
Ток - коллектор (IC) (макс.)
500 mA
Напряжение - пробой эмиттера коллектора (макс.)
300 V
vce сатурация (макс.) @ ib, ic
-
Ток - Отсечка коллектора (макс.)
100µA (ICBO)
Усиление по постоянному току (hFE) (мин) @ Ic, Vce
30 @ 50mA, 10V
Мощность - Макс
20 W
Частота - переход
-
Рабочая температура
-65°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Упаковка / Чехол
TO-225AA, TO-126-3
Комплект устройства поставщика
TO-126
Базовый номер продукта
MJE350
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
500
Другие названия
2156-MJE350G-OS
ONSONSMJE350G
MJE350GOS
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
Not Applicable
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
MMBTA56LT1G
TRANS PNP 80V 0.5A SOT23-3
MPS6602G
TRANS NPN 40V 1A TO92
KSC3502ESTU
TRANS NPN 200V 0.1A TO126-3
