Производитель Номер продукта:
MMBT6520LT1G
Product Overview
Производитель:
onsemi
Номер детали:
MMBT6520LT1G-DG
Описание:
TRANS PNP 350V 0.5A SOT23-3
Подробное описание:
Bipolar (BJT) Transistor PNP 350 V 500 mA 200MHz 225 mW Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
Инвентаризация:
12394 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12852423
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
MMBT6520LT1G Технические характеристики
Категория
Биполярный транзистор (BJT), Одиночные биполярные транзисторы
Производитель
onsemi
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип транзистора
PNP
Ток - коллектор (IC) (макс.)
500 mA
Напряжение - пробой эмиттера коллектора (макс.)
350 V
vce сатурация (макс.) @ ib, ic
1V @ 5mA, 50mA
Ток - Отсечка коллектора (макс.)
50nA (ICBO)
Усиление по постоянному току (hFE) (мин) @ Ic, Vce
20 @ 50mA, 10V
Мощность - Макс
225 mW
Частота - переход
200MHz
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Упаковка / Чехол
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Комплект устройства поставщика
SOT-23-3 (TO-236)
Базовый номер продукта
MMBT6520
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
Дополнительная информация
Стандартный пакет
3,000
Другие названия
MMBT6520LT1GOS-DG
MMBT6520LT1GOSTR
MMBT6520LT1GOS
MMBT6520LT1GOSCT
ONSONSMMBT6520LT1G
MMBT6520LT1GOSDKR
2156-MMBT6520LT1G-OS
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.21.0075
Сертификация DIGI
Связанные продукты
MJD32T4G
TRANS PNP 40V 3A DPAK
MJF3055
TRANS NPN 90V 10A TO220FP
MJE802STU
TRANS NPN DARL 80V 4A TO126-3
