Производитель Номер продукта:
MVB50P03HDLT4G
Product Overview
Производитель:
onsemi
Номер детали:
MVB50P03HDLT4G-DG
Описание:
MOSFET P-CH 30V 50A D2PAK-3
Подробное описание:
P-Channel 30 V 50A (Tc) 125W (Tc) Surface Mount D2PAK
Инвентаризация:
12840366
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
MVB50P03HDLT4G Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
onsemi
Упаковка
-
Серия
-
Статус продукта
Obsolete
Тип полевых транзисторов
P-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
30 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
50A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
5V
Rds On (макс.) @ id, vgs
25mOhm @ 25A, 5V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
100 nC @ 5 V
Vgs (макс.)
±15V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
4900 pF @ 25 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
125W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Степень
Automotive
Квалификация
AEC-Q101
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
D2PAK
Упаковка / Чехол
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Базовый номер продукта
MVB50
Дополнительная информация
Стандартный пакет
1
Классификация окружающей среды и экспорта
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
MCH5839-TL-W
MOSFET P-CH 20V 1.5A SC88AFL
FDS6673AZ
MOSFET P-CH 30V 14.5A 8SOIC
AUIRF3205Z
MOSFET N-CH 55V 75A TO220AB
