Производитель Номер продукта:
NDD01N60-1G
Product Overview
Производитель:
onsemi
Номер детали:
NDD01N60-1G-DG
Описание:
MOSFET N-CH 600V 1.5A IPAK
Подробное описание:
N-Channel 600 V 1.5A (Tc) 46W (Tc) Through Hole I-Pak
Инвентаризация:
12843300
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
NDD01N60-1G Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
onsemi
Упаковка
-
Серия
-
Статус продукта
Obsolete
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
600 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
1.5A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
8.5Ohm @ 200mA, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
3.7V @ 50µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
7.2 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±30V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
160 pF @ 25 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
46W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
I-PAK
Упаковка / Чехол
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Базовый номер продукта
NDD01
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
Дополнительная информация
Стандартный пакет
75
Другие названия
2156-NDD01N60-1G-ON
ONSONSNDD01N60-1G
Классификация окружающей среды и экспорта
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Альтернативные модели
Номер детали
TSM1NB60CH C5G
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Taiwan Semiconductor Corporation
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
0
Номер части
TSM1NB60CH C5G-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
0.21
Тип замещения
Similar
Сертификация DIGI
Связанные продукты
NTMFS4845NT3G
MOSFET N-CH 30V 13.7A/115A 5DFN
NTMFS4841NHT3G
MOSFET N-CH 30V 8.6A/59A 5DFN
NVMFS5C450NLWFAFT3G
MOSFET N-CH 40V 27A/110A 5DFN
