Производитель Номер продукта:
NDD03N60Z-1G
Product Overview
Производитель:
onsemi
Номер детали:
NDD03N60Z-1G-DG
Описание:
MOSFET N-CH 600V 2.6A IPAK
Подробное описание:
N-Channel 600 V 2.6A (Tc) 61W (Tc) Through Hole I-PAK
Инвентаризация:
12841025
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
NDD03N60Z-1G Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
onsemi
Упаковка
-
Серия
-
Статус продукта
Obsolete
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
600 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
2.6A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
3.6Ohm @ 1.2A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4.5V @ 50µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
12 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±30V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
312 pF @ 25 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
61W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
I-PAK
Упаковка / Чехол
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Базовый номер продукта
NDD03
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
75
Другие названия
ONSONSNDD03N60Z-1G
2156-NDD03N60Z-1G-ON
NDD03N60Z-1G-DG
NDD03N60Z1G
NDD03N60Z-1GOS
Классификация окружающей среды и экспорта
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Альтернативные модели
Номер детали
STU3N80K5
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
STMicroelectronics
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
87
Номер части
STU3N80K5-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
0.52
Тип замещения
Similar
Сертификация DIGI
Связанные продукты
NVMFS5C612NLAFT1G
MOSFET N-CH 60V 38A/250A 5DFN
MTB30P06VT4
MOSFET P-CH 60V 30A D2PAK
FQPF3N80CYDTU
MOSFET N-CH 800V 3A TO220F-3
