Производитель Номер продукта:
NDDL01N60Z-1G
Product Overview
Производитель:
onsemi
Номер детали:
NDDL01N60Z-1G-DG
Описание:
MOSFET N-CH 600V 800MA IPAK
Подробное описание:
N-Channel 600 V 800mA (Ta) 26W (Tc) Through Hole IPAK
Инвентаризация:
12856117
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
NDDL01N60Z-1G Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
onsemi
Упаковка
-
Серия
-
Статус продукта
Obsolete
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
600 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
800mA (Ta)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
15Ohm @ 400mA, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4.5V @ 50µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
4.9 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±30V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
92 pF @ 25 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
26W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
IPAK
Упаковка / Чехол
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Базовый номер продукта
NDDL0
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
75
Другие названия
2156-NDDL01N60Z-1G-ON
ONSONSNDDL01N60Z-1G
Классификация окружающей среды и экспорта
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
3 (168 Hours)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
NTMFS4851NT1G
MOSFET N-CH 30V 9.5A/66A 5DFN
NTTFS5811NLTWG
MOSFET N-CH 40V 17A/53A 8WDFN
NVMFS5A160PLZT1G
MOSFET P-CH 60V 15A/100A 5DFN
