Главная
Продукты
Производители
О DiGi
Связаться с нами
Блоги и посты
ЗАПРОС ЦЕНЫ/Котировка
Russian
Войти
Выборочный язык
Текущий язык на ваш выбор:
Russian
Переключить:
Английский
Европа
Великобритания
Франция
Испания
Турция
Молдова
Литва
Норвегия
Германия
Португалия
Словакия
ЛТАЛЫ
Финляндия
Русский
Болгария
Дания
Эстония
Польша
Украина
Словения
Чешский
Греческий
Хорватия
Израиль
Сербия
Беларусь
Нидерланды
Швеция
Черногория
Баскский
Исландия
Босния
Венгерский
Румыния
Австрия
Бельгия
Ирландия
Азиатско-Тихоокеанский регион
Китай
Вьетнам
Индонезия
Таиланд
Лаос
Филиппинский
Малайзия
Корея
Япония
Гонконг
Тайвань
Сингапур
Пакистан
Саудовская Аравия
Катар
Кувейт
Камбоджа
Мьянма
Африка, Индия и Ближний Восток
Объединённые Арабские Эмираты
Таджикистан
Мадагаскар
Индия
Иран
ДР Конго
Южная Африка
Египет
Кения
Танзания
Гана
Сенегал
Марокко
Тунис
Южная Америка / Океания
Новая Зеландия
Ангола
Бразилия
Мозамбик
Перу
Колумбия
Чили
Венесуэла
Эквадор
Боливия
Уругвай
Аргентина
Парагвай
Австралия
Северная Америка
США
Гаити
Канада
Коста-Рика
Мексика
О DiGi
О нас
О нас
Наши сертификаты
DiGi Введение
Почему DiGi
Политика
Политика качества
Условия использования
Соблюдение RoHS
Процесс возврата
Ресурсы
Категории продуктов
Производители
Блоги и посты
Услуги
Гарантия качества
Способ оплаты
Глобальная доставка
Тарифы на доставку
Часто задаваемые вопросы
Производитель Номер продукта:
NE5230DR2G
Product Overview
Производитель:
onsemi
Номер детали:
NE5230DR2G-DG
Описание:
IC OPAMP GP 1 CIRCUIT 8SOIC
Подробное описание:
General Purpose Amplifier 1 Circuit Rail-to-Rail 8-SOIC
Инвентаризация:
Запрос на предложение в Интернете
12859830
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
*
Компания
*
Имя контакта
*
Телефон
*
Электронная почта
Адрес доставки
Сообщение
(
*
) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
NE5230DR2G Технические характеристики
Категория
Усилители, Приборы, Операционные усилители, Буферные усилители
Производитель
onsemi
Упаковка
-
Серия
-
Статус продукта
Obsolete
Тип усилителя
General Purpose
Количество контуров
1
Тип вывода
Rail-to-Rail
Скорость нарастания
0.25V/µs
Произведение усиления полосы пропускания
600 kHz
Current - смещение входного сигнала
40 nA
Напряжение - входное смещение
400 µV
Ток - Питание
1.1mA
Ток - выход/канал
32 mA
Диапазон напряжения питания (мин)
1.8 V
Напряжение - диапазон напряжения питания (макс.)
15 V
Рабочая температура
0°C ~ 70°C
Тип крепления
Surface Mount
Упаковка / Чехол
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Комплект устройства поставщика
8-SOIC
Базовый номер продукта
NE5230
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
NE5230DR2G
HTML Спецификация
NE5230DR2G-DG
Дополнительная информация
Стандартный пакет
2,500
Другие названия
NE5230DR2G-DG
2156-NE5230DR2G-ONTR
NE5230DR2GOSCT
=NE5230DR2GOSCT-DG
ONSONSNE5230DR2G
NE5230DR2GOSTR
Классификация окружающей среды и экспорта
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8542.33.0001
Альтернативные модели
Номер детали
TS1851IDT
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
STMicroelectronics
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
43
Номер части
TS1851IDT-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
0.62
Тип замещения
Similar
Сертификация DIGI
Связанные продукты
ICL7621DCPA
IC CMOS 2 CIRCUIT 8DIP
EL5364IUZ-T7
IC OPAMP CFA 3 CIRCUIT 16QSOP
EL5166IW-T7A
IC OPAMP CFA 1 CIRCUIT SOT23-6
OPA2337UA/2K5
IC CMOS 2 CIRCUIT 8SOIC