NE5517DR2G
Производитель Номер продукта:

NE5517DR2G

Product Overview

Производитель:

onsemi

Номер детали:

NE5517DR2G-DG

Описание:

IC OPAMP TRANSCOND 2 CIRC 16SOIC
Подробное описание:
Transconductance Amplifier 2 Circuit Push-Pull 16-SOIC

Инвентаризация:

6073 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12857105
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
num_del num_add
*
*
*
*
XPdA
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ

NE5517DR2G Технические характеристики

Категория
Усилители, Приборы, Операционные усилители, Буферные усилители
Производитель
onsemi
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип усилителя
Transconductance
Количество контуров
2
Тип вывода
Push-Pull
Скорость нарастания
50V/µs
Произведение усиления полосы пропускания
2 MHz
Current - смещение входного сигнала
400 nA
Напряжение - входное смещение
400 µV
Ток - Питание
2.6mA
Ток - выход/канал
500 µA
Диапазон напряжения питания (мин)
4 V
Напряжение - диапазон напряжения питания (макс.)
44 V
Рабочая температура
0°C ~ 70°C
Тип крепления
Surface Mount
Упаковка / Чехол
16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Комплект устройства поставщика
16-SOIC
Базовый номер продукта
NE5517

Технический паспорт и документы

Технические характеристики
HTML Спецификация

Дополнительная информация

Стандартный пакет
2,500
Другие названия
NE5517DR2GOSCT
2156-NE5517DR2G-OS
NE5517DR2GOSTR
NE5517DR2G-DG
=NE5517DR2GOSCT-DG
ONSONSNE5517DR2G

Классификация окружающей среды и экспорта

Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8542.33.0001
Сертификация DIGI
Связанные продукты
onsemi

SA5534AN

IC OPAMP GP 1 CIRCUIT 8DIP

onsemi

NCS20092DMR2G

IC OPAMP GP 2 CIRCUIT 8MSOP

onsemi

NCV33074ADR2G

IC OPAMP GP 4 CIRCUIT 14SOIC

renesas-electronics-america

ISL28114FEZ-T7

IC OPAMP GP 1 CIRCUIT SC70-5