Главная
Продукты
Производители
О DiGi
Связаться с нами
Блоги и посты
ЗАПРОС ЦЕНЫ/Котировка
Russian
Войти
Выборочный язык
Текущий язык на ваш выбор:
Russian
Переключить:
Английский
Европа
Великобритания
Франция
Испания
Турция
Молдова
Литва
Норвегия
Германия
Португалия
Словакия
ЛТАЛЫ
Финляндия
Русский
Болгария
Дания
Эстония
Польша
Украина
Словения
Чешский
Греческий
Хорватия
Израиль
Сербия
Беларусь
Нидерланды
Швеция
Черногория
Баскский
Исландия
Босния
Венгерский
Румыния
Австрия
Бельгия
Ирландия
Азиатско-Тихоокеанский регион
Китай
Вьетнам
Индонезия
Таиланд
Лаос
Филиппинский
Малайзия
Корея
Япония
Гонконг
Тайвань
Сингапур
Пакистан
Саудовская Аравия
Катар
Кувейт
Камбоджа
Мьянма
Африка, Индия и Ближний Восток
Объединённые Арабские Эмираты
Таджикистан
Мадагаскар
Индия
Иран
ДР Конго
Южная Африка
Египет
Кения
Танзания
Гана
Сенегал
Марокко
Тунис
Южная Америка / Океания
Новая Зеландия
Ангола
Бразилия
Мозамбик
Перу
Колумбия
Чили
Венесуэла
Эквадор
Боливия
Уругвай
Аргентина
Парагвай
Австралия
Северная Америка
США
Гаити
Канада
Коста-Рика
Мексика
О DiGi
О нас
О нас
Наши сертификаты
DiGi Введение
Почему DiGi
Политика
Политика качества
Условия использования
Соблюдение RoHS
Процесс возврата
Ресурсы
Категории продуктов
Производители
Блоги и посты
Услуги
Гарантия качества
Способ оплаты
Глобальная доставка
Тарифы на доставку
Часто задаваемые вопросы
Производитель Номер продукта:
NJVMJD31CT4G
Product Overview
Производитель:
onsemi
Номер детали:
NJVMJD31CT4G-DG
Описание:
TRANS NPN 100V 3A DPAK
Подробное описание:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 100 V 3 A 3MHz 1.56 W Surface Mount DPAK
Инвентаризация:
Запрос на предложение в Интернете
12842524
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
*
Компания
*
Имя контакта
*
Телефон
*
Электронная почта
Адрес доставки
Сообщение
(
*
) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
NJVMJD31CT4G Технические характеристики
Категория
Биполярный транзистор (BJT), Одиночные биполярные транзисторы
Производитель
onsemi
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип транзистора
NPN
Ток - коллектор (IC) (макс.)
3 A
Напряжение - пробой эмиттера коллектора (макс.)
100 V
vce сатурация (макс.) @ ib, ic
1.2V @ 375mA, 3A
Ток - Отсечка коллектора (макс.)
50µA
Усиление по постоянному току (hFE) (мин) @ Ic, Vce
25 @ 1A, 4V
Мощность - Макс
1.56 W
Частота - переход
3MHz
Рабочая температура
-65°C ~ 150°C (TJ)
Степень
Automotive
Квалификация
AEC-Q101
Тип крепления
Surface Mount
Упаковка / Чехол
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Комплект устройства поставщика
DPAK
Базовый номер продукта
NJVMJD31
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
NJVMJD31CT4G
HTML Спецификация
NJVMJD31CT4G-DG
Дополнительная информация
Стандартный пакет
2,500
Другие названия
NJVMJD31CT4GOSTR
NJVMJD31CT4GOSCT
ONSONSNJVMJD31CT4G
NJVMJD31CT4GOSDKR
2156-NJVMJD31CT4G-OS
NJVMJD31CT4G-DG
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Альтернативные модели
Номер детали
MJD31CUQ-13
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Diodes Incorporated
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
2480
Номер части
MJD31CUQ-13-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
0.20
Тип замещения
Similar
Сертификация DIGI
Связанные продукты
2SA1309ARA
TRANS PNP 50V 0.1A NS-B1
BDP953H6327XTSA1
TRANS NPN 100V 3A SOT223-4
MJD122-1G
TRANS NPN DARL 100V 8A DPAK
2SD12690P
TRANS NPN 80V 4A TO220F-A1