Производитель Номер продукта:
NSBA113EDXV6T1G
Product Overview
Производитель:
onsemi
Номер детали:
NSBA113EDXV6T1G-DG
Описание:
TRANS 2PNP PREBIAS 0.25W SOT563
Подробное описание:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250mW Surface Mount SC-88/SC70-6/SOT-363
Инвентаризация:
12856237
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
NSBA113EDXV6T1G Технические характеристики
Категория
Биполярный транзистор (BJT), Массивах биполярных транзисторов, предварительно смещенных
Производитель
onsemi
Упаковка
-
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип транзистора
2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Ток - коллектор (IC) (макс.)
100mA
Напряжение - пробой эмиттера коллектора (макс.)
50V
Резистор - база (R1)
1kOhms
Резистор - база эмиттера (R2)
1kOhms
Усиление по постоянному току (hFE) (мин) @ Ic, Vce
3 @ 5mA, 10V
vce сатурация (макс.) @ ib, ic
250mV @ 5mA, 10mA
Ток - Отсечка коллектора (макс.)
500nA
Частота - переход
-
Мощность - Макс
250mW
Тип крепления
Surface Mount
Упаковка / Чехол
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Комплект устройства поставщика
SC-88/SC70-6/SOT-363
Базовый номер продукта
NSBA113
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
4,000
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.21.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
NSVMUN5113DW1T3G
TRANS PNP 50V DUAL BIPO SC88-3
NSTB1002DXV5T1G
TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SOT553
NSVBC124XPDXV6T1G
TRANS PREBIAS NPN/PNP 50V SOT563