Производитель Номер продукта:
NSBC113EPDXV6T1G
Product Overview
Производитель:
onsemi
Номер детали:
NSBC113EPDXV6T1G-DG
Описание:
TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563
Подробное описание:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 500mW Surface Mount SOT-563
Инвентаризация:
13209209
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
NSBC113EPDXV6T1G Технические характеристики
Категория
Биполярный транзистор (BJT), Массивах биполярных транзисторов, предварительно смещенных
Производитель
onsemi
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип транзистора
1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Ток - коллектор (IC) (макс.)
100mA
Напряжение - пробой эмиттера коллектора (макс.)
50V
Резистор - база (R1)
1kOhm
Резистор - база эмиттера (R2)
1kOhm
Усиление по постоянному току (hFE) (мин) @ Ic, Vce
3 @ 5mA, 10V
vce сатурация (макс.) @ ib, ic
250mV @ 5mA, 10mA
Ток - Отсечка коллектора (макс.)
500nA
Частота - переход
-
Мощность - Макс
500mW
Степень
Automotive
Квалификация
AEC-Q101
Тип крепления
Surface Mount
Упаковка / Чехол
SOT-563, SOT-666
Комплект устройства поставщика
SOT-563
Базовый номер продукта
NSBC113
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
Дополнительная информация
Стандартный пакет
4,000
Другие названия
488-NSBC113EPDXV6T1GTR
ONSONSNSBC113EPDXV6T1G
NSBC113EPDXV6T1G-ND
2156-NSBC113EPDXV6T1G-OS
NSBC113EPDXV6T1GOSTR
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.21.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
MUN5113DW1T1G
TRANS 2PNP PREBIAS 0.25W SOT363
PIMN32PAS-QX
PIMN32PAS-Q/SOT1118/HUSON6
PIMC31PAS-QX
PIMC31PAS-Q/SOT1118/HUSON6