Производитель Номер продукта:
NSBC114TDXV6T1G
Product Overview
Производитель:
onsemi
Номер детали:
NSBC114TDXV6T1G-DG
Описание:
TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT563
Подробное описание:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 500mW Surface Mount SOT-563
Инвентаризация:
6880 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12854734
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
NSBC114TDXV6T1G Технические характеристики
Категория
Биполярный транзистор (BJT), Массивах биполярных транзисторов, предварительно смещенных
Производитель
onsemi
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип транзистора
2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Ток - коллектор (IC) (макс.)
100mA
Напряжение - пробой эмиттера коллектора (макс.)
50V
Резистор - база (R1)
10kOhms
Резистор - база эмиттера (R2)
-
Усиление по постоянному току (hFE) (мин) @ Ic, Vce
160 @ 5mA, 10V
vce сатурация (макс.) @ ib, ic
250mV @ 1mA, 10mA
Ток - Отсечка коллектора (макс.)
500nA
Частота - переход
-
Мощность - Макс
500mW
Тип крепления
Surface Mount
Упаковка / Чехол
SOT-563, SOT-666
Комплект устройства поставщика
SOT-563
Базовый номер продукта
NSBC114
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
4,000
Другие названия
ONSONSNSBC114TDXV6T1G
NSBC114TDXV6T1GOS
2156-NSBC114TDXV6T1G-OS
NSBC114TDXV6T1GOS-DG
NSBC114TDXV6T1GOSTR
NSBC114TDXV6T1GOSDKR
NSBC114TDXV6T1GOSCT
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.21.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
MUN5114DW1T1
TRANS 2PNP PREBIAS 0.25W SOT363
NSBC114YDXV6T5G
TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT563
MUN5234DW1T1G
TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363
