Главная
Продукты
Производители
О DiGi
Связаться с нами
Блоги и посты
ЗАПРОС ЦЕНЫ/Котировка
Russian
Войти
Выборочный язык
Текущий язык на ваш выбор:
Russian
Переключить:
Английский
Европа
Великобритания
ДР Конго
Аргентина
Турция
Румыния
Литва
Норвегия
Австрия
Ангола
Словакия
ЛТАЛЫ
Финляндия
Беларусь
Болгария
Дания
Эстония
Польша
Украина
Словения
Чешский
Греческий
Хорватия
Израиль
Черногория
Русский
Бельгия
Швеция
Сербия
Баскский
Исландия
Босния
Венгерский
Молдова
Германия
Нидерланды
Ирландия
Азиатско-Тихоокеанский регион
Китай
Вьетнам
Индонезия
Таиланд
Лаос
Филиппинский
Малайзия
Корея
Япония
Гонконг
Тайвань
Сингапур
Пакистан
Саудовская Аравия
Катар
Кувейт
Камбоджа
Мьянма
Африка, Индия и Ближний Восток
Объединённые Арабские Эмираты
Таджикистан
Мадагаскар
Индия
Иран
Франция
Южная Африка
Египет
Кения
Танзания
Гана
Сенегал
Марокко
Тунис
Южная Америка / Океания
Новая Зеландия
Португалия
Бразилия
Мозамбик
Перу
Колумбия
Чили
Венесуэла
Эквадор
Боливия
Уругвай
Испания
Парагвай
Австралия
Северная Америка
США
Гаити
Канада
Коста-Рика
Мексика
О DiGi
О нас
О нас
Наши сертификаты
DiGi Введение
Почему DiGi
Политика
Политика качества
Условия использования
Соблюдение RoHS
Процесс возврата
Ресурсы
Категории продуктов
Производители
Блоги и посты
Услуги
Гарантия качества
Способ оплаты
Глобальная доставка
Тарифы на доставку
Часто задаваемые вопросы
Производитель Номер продукта:
NSBC114TDXV6T5
Product Overview
Производитель:
onsemi
Номер детали:
NSBC114TDXV6T5-DG
Описание:
TRANS 2NPN PREBIAS 0.5W SOT563
Подробное описание:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 500mW Surface Mount SOT-563
Инвентаризация:
Запрос на предложение в Интернете
12856388
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
*
Компания
*
Имя контакта
*
Телефон
*
Электронная почта
Адрес доставки
Сообщение
(
*
) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
NSBC114TDXV6T5 Технические характеристики
Категория
Биполярный транзистор (BJT), Массивах биполярных транзисторов, предварительно смещенных
Производитель
onsemi
Упаковка
-
Серия
-
Статус продукта
Obsolete
Тип транзистора
2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Ток - коллектор (IC) (макс.)
100mA
Напряжение - пробой эмиттера коллектора (макс.)
50V
Резистор - база (R1)
10kOhms
Резистор - база эмиттера (R2)
-
Усиление по постоянному току (hFE) (мин) @ Ic, Vce
160 @ 5mA, 10V
vce сатурация (макс.) @ ib, ic
250mV @ 1mA, 10mA
Ток - Отсечка коллектора (макс.)
500nA
Частота - переход
-
Мощность - Макс
500mW
Тип крепления
Surface Mount
Упаковка / Чехол
SOT-563, SOT-666
Комплект устройства поставщика
SOT-563
Базовый номер продукта
NSBC114
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
NSBC114TDXV6T5
HTML Спецификация
NSBC114TDXV6T5-DG
Дополнительная информация
Стандартный пакет
8,000
Другие названия
2156-NSBC114TDXV6T5-ONTR
NSBC114TDXV6T5OS
ONSONSNSBC114TDXV6T5
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
RoHS non-compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.21.0095
Альтернативные модели
Номер детали
PEMD3,115
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Nexperia USA Inc.
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
4000
Номер части
PEMD3,115-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
0.07
Тип замещения
Similar
Номер детали
RN4982FE,LF(CT
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Toshiba Semiconductor and Storage
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
3035
Номер части
RN4982FE,LF(CT-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
0.02
Тип замещения
Similar
Номер детали
RN1902FE,LF(CT
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Toshiba Semiconductor and Storage
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
22
Номер части
RN1902FE,LF(CT-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
0.02
Тип замещения
Similar
Номер детали
PEMH11,115
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Nexperia USA Inc.
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
7980
Номер части
PEMH11,115-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
0.07
Тип замещения
Similar
Номер детали
EMH11T2R
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Rohm Semiconductor
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
27909
Номер части
EMH11T2R-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
0.08
Тип замещения
Similar
Сертификация DIGI
Связанные продукты
NSBC143ZPDXV6T5G
TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563
NSBA124EDP6T5G
TRANS PREBIAS 2PNP 50V SOT963
NSVMUN5312DW1T2G
TRANS NPN/PNP 50V BIPO SC88-6
NSVBA143ZDXV6T1G
TRANS 2PNP BIPO 60V SOT564