NSBC115EPDXV6T1G
Производитель Номер продукта:

NSBC115EPDXV6T1G

Product Overview

Производитель:

onsemi

Номер детали:

NSBC115EPDXV6T1G-DG

Описание:

SS SOT563 RSTR XSTR TR
Подробное описание:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 357mW Surface Mount SOT-563

Инвентаризация:

12843253
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ

NSBC115EPDXV6T1G Технические характеристики

Категория
Биполярный транзистор (BJT), Массивах биполярных транзисторов, предварительно смещенных
Производитель
onsemi
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип транзистора
1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Ток - коллектор (IC) (макс.)
100mA
Напряжение - пробой эмиттера коллектора (макс.)
50V
Резистор - база (R1)
100kOhms
Резистор - база эмиттера (R2)
100kOhms
Усиление по постоянному току (hFE) (мин) @ Ic, Vce
80 @ 5mA, 10V
vce сатурация (макс.) @ ib, ic
250mV @ 300µA, 10mA
Ток - Отсечка коллектора (макс.)
500nA
Частота - переход
-
Мощность - Макс
357mW
Степень
Automotive
Квалификация
AEC-Q101
Тип крепления
Surface Mount
Упаковка / Чехол
SOT-563, SOT-666
Комплект устройства поставщика
SOT-563
Базовый номер продукта
NSBC115

Технический паспорт и документы

Технические характеристики
HTML Спецификация

Дополнительная информация

Стандартный пакет
4,000

Классификация окружающей среды и экспорта

Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.21.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
panasonic

DMA561060R

TRANS 2PNP PREBIAS 0.15W SMINI5

panasonic

DMA261010R

TRANS PREBIAS DUAL PNP MINI5

onsemi

NSBC144EDP6T5G

TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT963

onsemi

NSBA123JDXV6T1

TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563