Главная
Продукты
Производители
О DiGi
Связаться с нами
Блоги и посты
ЗАПРОС ЦЕНЫ/Котировка
Russian
Войти
Выборочный язык
Текущий язык на ваш выбор:
Russian
Переключить:
Английский
Европа
Великобритания
ДР Конго
Аргентина
Турция
Румыния
Литва
Норвегия
Австрия
Ангола
Словакия
ЛТАЛЫ
Финляндия
Беларусь
Болгария
Дания
Эстония
Польша
Украина
Словения
Чешский
Греческий
Хорватия
Израиль
Черногория
Русский
Бельгия
Швеция
Сербия
Баскский
Исландия
Босния
Венгерский
Молдова
Германия
Нидерланды
Ирландия
Азиатско-Тихоокеанский регион
Китай
Вьетнам
Индонезия
Таиланд
Лаос
Филиппинский
Малайзия
Корея
Япония
Гонконг
Тайвань
Сингапур
Пакистан
Саудовская Аравия
Катар
Кувейт
Камбоджа
Мьянма
Африка, Индия и Ближний Восток
Объединённые Арабские Эмираты
Таджикистан
Мадагаскар
Индия
Иран
Франция
Южная Африка
Египет
Кения
Танзания
Гана
Сенегал
Марокко
Тунис
Южная Америка / Океания
Новая Зеландия
Португалия
Бразилия
Мозамбик
Перу
Колумбия
Чили
Венесуэла
Эквадор
Боливия
Уругвай
Испания
Парагвай
Австралия
Северная Америка
США
Гаити
Канада
Коста-Рика
Мексика
О DiGi
О нас
О нас
Наши сертификаты
DiGi Введение
Почему DiGi
Политика
Политика качества
Условия использования
Соблюдение RoHS
Процесс возврата
Ресурсы
Категории продуктов
Производители
Блоги и посты
Услуги
Гарантия качества
Способ оплаты
Глобальная доставка
Тарифы на доставку
Часто задаваемые вопросы
Производитель Номер продукта:
NSS60101DMTTBG
Product Overview
Производитель:
onsemi
Номер детали:
NSS60101DMTTBG-DG
Описание:
TRANS 2NPN 60V 1A 6WDFN
Подробное описание:
Bipolar (BJT) Transistor Array 2 NPN (Dual) 60V 1A 180MHz 2.27W Surface Mount 6-WDFN (2x2)
Инвентаризация:
Запрос на предложение в Интернете
12840165
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
*
Компания
*
Имя контакта
*
Телефон
*
Электронная почта
Адрес доставки
Сообщение
(
*
) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
NSS60101DMTTBG Технические характеристики
Категория
Биполярный транзистор (BJT), Массивы биполярных транзисторов
Производитель
onsemi
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип транзистора
2 NPN (Dual)
Ток - коллектор (IC) (макс.)
1A
Напряжение - пробой эмиттера коллектора (макс.)
60V
vce сатурация (макс.) @ ib, ic
180mV @ 100mA, 1A
Ток - Отсечка коллектора (макс.)
100nA (ICBO)
Усиление по постоянному току (hFE) (мин) @ Ic, Vce
120 @ 500mA, 2V
Мощность - Макс
2.27W
Частота - переход
180MHz
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Упаковка / Чехол
6-WDFN Exposed Pad
Комплект устройства поставщика
6-WDFN (2x2)
Базовый номер продукта
NSS60101
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
NSS60101DMTTBG
HTML Спецификация
NSS60101DMTTBG-DG
Дополнительная информация
Стандартный пакет
3,000
Другие названия
NSS60101DMTTBGOSTR
NSS60101DMTTBG-DG
NSS60101DMTTBGOSCT
NSS60101DMTTBGOSDKR
2156-NSS60101DMTTBG-OS
ONSONSNSS60101DMTTBG
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0075
Альтернативные модели
Номер детали
PBSS4160PAN,115
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
NXP USA Inc.
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
22598
Номер части
PBSS4160PAN,115-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
0.14
Тип замещения
Direct
Сертификация DIGI
Связанные продукты
NST45011MW6T1G
TRANS 2NPN 45V 0.1A SC88/SC70-6
MBT6429DW1T1G
TRANS 2NPN 45V 0.2A SC88/SC70-6
NSVT30010MXV6T1G
TRANS 2PNP 30V 0.1A SOT563
NSS40300MDR2G
TRANS 2PNP 40V 3A 8SOIC