Производитель Номер продукта:
NSV30100LT1G
Product Overview
Производитель:
onsemi
Номер детали:
NSV30100LT1G-DG
Описание:
NSV30100 - LOW VCE(SAT) TRANSIST
Подробное описание:
Bipolar (BJT) Transistor PNP 30 V 1 A 100MHz 710 mW Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
Инвентаризация:
33000 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12996909
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
NSV30100LT1G Технические характеристики
Категория
Биполярный транзистор (BJT), Одиночные биполярные транзисторы
Производитель
onsemi
Упаковка
Bulk
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип транзистора
PNP
Ток - коллектор (IC) (макс.)
1 A
Напряжение - пробой эмиттера коллектора (макс.)
30 V
vce сатурация (макс.) @ ib, ic
650mV @ 200mA, 2A
Ток - Отсечка коллектора (макс.)
100nA
Усиление по постоянному току (hFE) (мин) @ Ic, Vce
100 @ 500mA, 2V
Мощность - Макс
710 mW
Частота - переход
100MHz
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Степень
Automotive
Квалификация
AEC-Q101
Тип крепления
Surface Mount
Упаковка / Чехол
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Комплект устройства поставщика
SOT-23-3 (TO-236)
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
Дополнительная информация
Стандартный пакет
1,781
Другие названия
2156-NSV30100LT1G-488
Классификация окружающей среды и экспорта
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
Vendor Undefined
Статус REACH
Vendor Undefined
Сертификация DIGI
Связанные продукты
2SC3746R
2SC3746 - NPN EPITAXIAL PLANAR S
TIP31C
TRANS NPN 100V 3A TO220
PBHV8115T,215
NEXPERIA PBHV8115T - 150 V, 1 A