NSVBC123JDXV6T5G
Производитель Номер продукта:

NSVBC123JDXV6T5G

Product Overview

Производитель:

onsemi

Номер детали:

NSVBC123JDXV6T5G-DG

Описание:

SS SOT563 SRF MT RST XSTR
Подробное описание:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 500mW Surface Mount SOT-563

Инвентаризация:

12969827
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ

NSVBC123JDXV6T5G Технические характеристики

Категория
Биполярный транзистор (BJT), Массивах биполярных транзисторов, предварительно смещенных
Производитель
onsemi
Упаковка
-
Серия
-
Статус продукта
Obsolete
Тип транзистора
2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Ток - коллектор (IC) (макс.)
100mA
Напряжение - пробой эмиттера коллектора (макс.)
50V
Резистор - база (R1)
2.2kOhms
Резистор - база эмиттера (R2)
47kOhms
Усиление по постоянному току (hFE) (мин) @ Ic, Vce
80 @ 5mA, 10V
vce сатурация (макс.) @ ib, ic
250mV @ 1mA, 10mA
Ток - Отсечка коллектора (макс.)
500nA
Частота - переход
-
Мощность - Макс
500mW
Степень
Automotive
Квалификация
AEC-Q101
Тип крепления
Surface Mount
Упаковка / Чехол
SOT-563, SOT-666
Комплект устройства поставщика
SOT-563
Базовый номер продукта
NSVBC123

Технический паспорт и документы

Технические характеристики
HTML Спецификация

Дополнительная информация

Стандартный пакет
8,000
Другие названия
488-NSVBC123JDXV6T5GTR

Классификация окружающей среды и экспорта

Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.21.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
onsemi

NSBA114EDXV6T1

SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR

toshiba-semiconductor-and-storage

RN4903FE,LXHF(CT

AUTO AEC-Q 2-IN-1 (POINT-SYMMETR

toshiba-semiconductor-and-storage

RN1902,LXHF(CT

AUTO AEC-Q 2-IN-1 (POINT-SYM) NP

toshiba-semiconductor-and-storage

RN1903,LXHF(CT

AUTO AEC-Q 2-IN-1 (POINT-SYM) NP