NSVMUN5312DW1T3G
Производитель Номер продукта:

NSVMUN5312DW1T3G

Product Overview

Производитель:

onsemi

Номер детали:

NSVMUN5312DW1T3G-DG

Описание:

TRANS NPN/PNP 50V BIPO SC88-6
Подробное описание:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250mW Surface Mount SC-88/SC70-6/SOT-363

Инвентаризация:

12858607
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ

NSVMUN5312DW1T3G Технические характеристики

Категория
Биполярный транзистор (BJT), Массивах биполярных транзисторов, предварительно смещенных
Производитель
onsemi
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип транзистора
1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Ток - коллектор (IC) (макс.)
100mA
Напряжение - пробой эмиттера коллектора (макс.)
50V
Резистор - база (R1)
22kOhms
Резистор - база эмиттера (R2)
22kOhms
Усиление по постоянному току (hFE) (мин) @ Ic, Vce
60 @ 5mA, 10V
vce сатурация (макс.) @ ib, ic
250mV @ 300µA, 10mA
Ток - Отсечка коллектора (макс.)
500nA
Частота - переход
-
Мощность - Макс
250mW
Тип крепления
Surface Mount
Упаковка / Чехол
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Комплект устройства поставщика
SC-88/SC70-6/SOT-363
Базовый номер продукта
NSVMUN5312

Технический паспорт и документы

Технические характеристики
HTML Спецификация

Дополнительная информация

Стандартный пакет
10,000
Другие названия
488-NSVMUN5312DW1T3GTR
NSVMUN5312DW1T3G-DG
488-NSVMUN5312DW1T3GDKR
488-NSVMUN5312DW1T3GCT

Классификация окружающей среды и экспорта

Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.21.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
onsemi

NSBA114YDXV6T1

TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563

onsemi

NSBC143TDXV6T5G

TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT563

onsemi

SMUN5115DW1T1G

TRANS 2PNP PREBIAS 0.187W SOT363

panasonic

XP0111400L

TRANS PREBIAS DUAL PNP SMINI5