Производитель Номер продукта:
NSVMUN5316DW1T1G
Product Overview
Производитель:
onsemi
Номер детали:
NSVMUN5316DW1T1G-DG
Описание:
TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP 50V SC88
Подробное описание:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250mW Surface Mount SC-88/SC70-6/SOT-363
Инвентаризация:
14100 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12847086
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
NSVMUN5316DW1T1G Технические характеристики
Категория
Биполярный транзистор (BJT), Массивах биполярных транзисторов, предварительно смещенных
Производитель
onsemi
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип транзистора
1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Ток - коллектор (IC) (макс.)
100mA
Напряжение - пробой эмиттера коллектора (макс.)
50V
Резистор - база (R1)
4.7kOhms
Резистор - база эмиттера (R2)
-
Усиление по постоянному току (hFE) (мин) @ Ic, Vce
160 @ 5mA, 10V
vce сатурация (макс.) @ ib, ic
250mV @ 300µA, 10mA
Ток - Отсечка коллектора (макс.)
500nA
Частота - переход
-
Мощность - Макс
250mW
Тип крепления
Surface Mount
Упаковка / Чехол
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Комплект устройства поставщика
SC-88/SC70-6/SOT-363
Базовый номер продукта
NSVMUN5316
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
3,000
Другие названия
NSVMUN5316DW1T1GOSTR
ONSONSNSVMUN5316DW1T1G
NSVMUN5316DW1T1G-DG
2156-NSVMUN5316DW1T1G-OS
NSVMUN5316DW1T1GOSCT
NSVMUN5316DW1T1GOSDKR
2832-NSVMUN5316DW1T1GTR
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.21.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
SMUN5312DW1T1G
TRANS NPN/PNP PREBIAS SOT363
DMC264010R
TRANS PREBIAS DUAL NPN MINI6
MUN5311DW1T1
TRANS BRT DUAL 100MA 50V SOT363
