Производитель Номер продукта:
NTBG040N120M3S
Product Overview
Производитель:
onsemi
Номер детали:
NTBG040N120M3S-DG
Описание:
SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET - E
Подробное описание:
N-Channel 1200 V 57A (Tc) 263W (Tc) Surface Mount D2PAK-7
Инвентаризация:
785 Шт Новые Оригиналы В Наличии
13256041
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
NTBG040N120M3S Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
onsemi
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
1200 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
57A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
18V
Rds On (макс.) @ id, vgs
54mOhm @ 20A, 18V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4.4V @ 10mA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
75 nC @ 18 V
Vgs (макс.)
+22V, -10V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
1700 pF @ 800 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
263W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
D2PAK-7
Упаковка / Чехол
TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
Дополнительная информация
Стандартный пакет
800
Другие названия
488-NTBG040N120M3STR
488-NTBG040N120M3SCT
488-NTBG040N120M3SDKR
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Альтернативные модели
Номер детали
NVBG040N120M3S
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
onsemi
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
800
Номер части
NVBG040N120M3S-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
18.34
Тип замещения
Parametric Equivalent
Сертификация DIGI
Связанные продукты
APT20M16LFLLG
MOSFET N-CH 200V 100A TO264
NTH4L070N120M3S
SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET EL
APT8020LLLG
MOSFET N-CH 800V 38A TO264