Производитель Номер продукта:
NTBG060N090SC1
Product Overview
Производитель:
onsemi
Номер детали:
NTBG060N090SC1-DG
Описание:
MOSFET N-CH 900V 5.8/44A D2PAK-7
Подробное описание:
N-Channel 900 V 5.8A (Ta), 44A (Tc) 3.6W (Ta), 211W (Tc) Surface Mount D2PAK-7
Инвентаризация:
800 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12939819
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
NTBG060N090SC1 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
onsemi
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
900 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
5.8A (Ta), 44A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
15V
Rds On (макс.) @ id, vgs
84mOhm @ 20A, 15V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4.3V @ 5mA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
88 nC @ 15 V
Vgs (макс.)
+19V, -10V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
1800 pF @ 450 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
3.6W (Ta), 211W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
D2PAK-7
Упаковка / Чехол
TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Базовый номер продукта
NTBG060
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
800
Другие названия
488-NTBG060N090SC1TR
488-NTBG060N090SC1CT
488-NTBG060N090SC1DKR
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
SIDR680ADP-T1-RE3
MOSFET N-CH 80V 30.7A/137A PPAK
NTLJS4D7N03HTAG
MOSFET N-CH 25V 11.6A 6PQFN
NVF2955PT1G
MOSFET P CH 60V 1.7A SOT223
